奥鹏作业网题目、单晶硅片的电阻率一般控制在（）。
2～4·cm左右
1～3·cm左右
0.5～2·cm左右
0.1～0.3·cm左右
题目、电磁铸锭法说法错误的是（）。 熔体与坩埚不直接接触硅锭中晶粒较细小电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀较少晶体缺陷
题目、硅的熔点约为（）。 800℃1420℃2200℃1200℃
题目、硅片切割中的碎料可用于（）。 铸造多晶硅直拉单晶硅区熔单晶硅填坑
题目、硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。 PH3PH5POCl3B2O3
题目、目前常用的多晶硅铸锭炉单炉产量约为（）。 450kg1000kg100kg250kg
题目、目前最常用的硅片的尺寸为（）。 210mm×210mm156mm×156mm125mm×125mm100mm×100mm
题目、热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。 是否需要水冷成本能耗坩埚与热源的相互运动情况
题目、少子寿命的物理意义是（）。 以上都不对非平衡少数载流子复合所需要的平均时间非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
题目、生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。 以上都不对8～153000%18～40
题目、太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。 400～500um300～400um200～300um100～150um
题目、氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。 1×107～1×108cm-31×1020～1×1021cm-31×1012～1×1013cm-31×1017～1×1018cm-3
题目、一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。 35～45h55～65h25～35h15～25h
题目、用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。 X射线法整流法四探针法显微镜观察法
题目、铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。
1mm左右
10cm左右
10mm左右
100μm左右
题目、铸造多晶硅现在通称为（）。 fz-Sicz-Si以上都不对mc-Si
题目、铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。 热交换法布里奇曼法浇铸法电磁铸锭法
题目、铸造多晶硅中的晶体掺杂可采用（）。 BH3PH3BB2O3
题目、最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。 四探针法范德堡法扩展电阻法两探针法
题目、PCD方法可用于测量（）。 少子寿命电阻率曲翘度平整度
题目、大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。 方便安装降低成本防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险
题目、工业硅生产过程中，要注意的是（）。 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度及时捣炉，帮助沉料及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体
题目、工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。 具有一定的机械强度，抗磨损有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀选择性高具有较大的内表面，吸附容量大
题目、关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。 生长时都需借助要采用籽晶都需要使用缩颈工艺都需要采用真空气氛保护熔化时都需要采用坩埚
题目、关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。 放热反应要加热到所需温度才能进行温度升高后反而将影响产品收率吸热反应
题目、关于晶转说法正确的是（）。 在某些晶转下，棱线或者国开形考答案请进：opzy.net或请联系微信：1095258436
小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性吊索和晶体出现共振时效果最好过高的晶转会使固液界的形状太凹
题目、关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。 被两条曲线分为三个区域降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线
题目、关于SiO说法正确的是（）。 SiO很容易发生化学反应能在1500℃与C发生反应温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到能与氧气发生反应
题目、硅烷法的特点是（）。 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅硅烷气体易于用吸附法提纯硅烷易爆炸易于分解为非晶硅
题目、化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。 中间化合物的合成中间化合物的分离提纯区域提纯中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
题目、晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。 点缺陷的产生点缺陷的扩散点缺陷分解点缺陷的复合
题目、具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
〈210〉晶向{110}晶面族
{100}<110>晶向晶面族
{111}晶面族〈111〉晶向
{211}〈211〉晶面族晶向
题目、磷在硅中很容易去除，在于（）。 磷的密度小磷的熔点低磷在硅熔液中很快得到蒸发磷在硅中的分配系数小于1
题目、石墨坩埚的寿命取决于（）。 在晶体生长过程中的受热程度石墨坩埚的形状承受的重量石墨的材质
题目、位错影响说法正确的是（）。 刃型位错也可能作为一排受主刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子位错能够改变载流子浓度位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
题目、无坩埚区域提纯（）。 硅也能采用水平区域提纯法熔硅不会流动是由于其很大的表面张力避免了坩埚的污染也可用于晶体生长
题目、以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发物理．吸附的进行吸附是可逆的脱咐的进行物理吸附是不可逆的
题目、由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度晶体直径大对多晶形状要求低熔体稳定
题目、直拉单晶炉的主室包括（）。 热绝缘筒和地盘石墨坩埚石墨加热器石英坩埚
题目、CZ法产生位错的环节和方式有（）。 籽晶中的位错延伸、增殖籽晶表面损伤、机械磨损裂痕晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
题目、纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。
题目、多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。
题目、多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。
题目、硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。
题目、硅片切割得越薄，切割损耗也越多。
题目、国内还不能生产铸造多晶硅的铸锭炉。
题目、浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。
题目、目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。
题目、热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。
题目、如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。
题目、太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
题目、太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。
题目、通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。
题目、一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。
题目、影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。
题目、与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。
题目、在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。
题目、直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。
题目、铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。
题目、铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。
题目、将测试方法与作用一一对应。
（1） 整流法 一一[[3]]
（2）四探针法 一一[[2]]
（3）光电导衰退法 一一[[1]];{A. 少子寿命 / B. 电阻率 / C. 导电型号}
题目、将各工艺与能耗一一对应。
（1）区熔单晶硅 一一[[3]]
（2）直拉单晶硅 一一[[2]]
（3）铸造多晶硅 一一[[1]];{A. 8～15 kWh/Kg / B. 18～40 kWh/Kg / C. 30 kWh/Kg}
题目、将各种硅生产工艺与特点一一对应。
（1）mc-Si 一一[[3]]
（2）cz-Si 一一[[2]]
（3）fz-Si 一一[[1]];{A. 生产成本最高 / B. 对硅料的要求一般 / C. 转换效率一般最低}
题目、将硅片参数与作用一一对应。
（1）BOW 一一[[1]]
（2）TTV 一一[[3]]
（3）TIR 一一[[2]];{A. 弯曲度 / B. 平整度的一种量度 / C. 总厚度偏差}
题目、将硅中的各种元素与影响一一对应。
（1）B 一一[[3]]
（2）O 一一[[1]]
（3）H 一一[[2]];{A. 危害较大 / B. 有钝化效果 / C.特意加入，形成掺杂}
题目、将化学反应与作用一一对应。
（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 一一[[1]]
（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O 一一[[3]]
（3）Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑ 一一[[2]];{A. 去除硅表面的致密保护膜 / B. 碱腐蚀 / C. 酸腐蚀}
题目、将抛光工艺与描述一一对应。
（1）机械抛光法 一一[[2]]
（2）化学抛光法 一一[[3]]
（3）化学－机械抛光法 一一[[1]];{A. 现代半导体工业中普遍应用 / B. 采用细磨料颗料 / C. 硝酸与氢氟酸混合腐蚀液}
题目、将清洗时试剂与作用一一对应。
（1）无机酸 一一[[1]]
（2）有机溶剂 一一[[3]]
（3）过氧化氢 一一[[2]];{A. 去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质 / B. 对一些难溶物质转化为易溶物质 / C. 相似相溶}
题目、将吸杂工艺与描述一一对应。
（1）磷吸杂 一一[[1]]
（2）铝吸杂 一一[[3]]
（3）磷-铝共吸杂 一一[[2]];{A. 去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除 / B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化 / C. 除杂效果最佳}
题目、将制备方法与描述一一对应。
（1）布里曼法 一一[[1]]
（2）热交换法 一一[[2]]
（3）浇铸法 一一[[3]];{A. 坩埚需升降 / B. 固液界面比较平稳 / C. 熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行}
