奥鹏作业网大工19秋《模拟电子技术》在线作业1-0001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
2.温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
3.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A.越好
B.越差
C.无变化
D.不确定
4.在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A.共射组态
B.共集组态
C.共基组态
D.无法确定
5.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
6.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
7.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
8.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
9.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
10.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A.发射极
B.集电极
C.基极
D.无法确定
二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)
11.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
12.对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
13.一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
14.当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
15.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
16.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
17.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
18.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
19.二极管是非线性器件。
20.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
